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MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
I D
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current Continuous (V GS = 10V)
Pulsed
Ratings
60
±20
4.3
20
Units
V
V
A
P D Power Dissipation
T J , T STG Operating and Storage Temperature
Thermal Characteristics
1.6
-55 to +150
W
o C
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case
30
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263,
1in 2
copper pad area
78
o C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.661N
Device
FDC5661N_F085
Package
SSOT - 6
Reel Size
7”
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
B VDSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
60
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 48V,
V GS = 0V
V GS = ±20V
T A = 150 o C
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Gate to Source Threshold Voltage
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1
2.0
3
V
I D = 4.3A, V GS = 10V
-
38
47
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
I D = 4A, V GS = 4.5V
I D = 4.3A, V GS = 10V
T J = 150 o C
-
-
46
69
60
86
m Ω
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
f = 1MHz
-
-
-
-
763
68
36
2.6
-
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Total Gate Charge at 10V
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller“ Charge
V GS = 0 to 10V
V DD = 30V
I D = 4.3A
-
-
-
14.5
2.4
2.9
19
-
-
nC
nC
nC
FDC5661N_F085 Rev. A
2
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